Самое горячее: Европа признала соцсети опасными (50); "Фобос-Грунт" уже не спасти (11); Мобильники убивают детей (26); ЕЩЕ >>
РАЗДЕЛЫ
Архив
« июнь 2020  
пн вт ср чт пт сб вс
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

РОСНАНО вкладывается в MRAM-память

Устройства | Новости | 18.05.2011 15:38

РОСНАНО и французская компания Crocus Technology создают совместное предприятие Crocus Nano Electronics (CNE). Новое СП построит в России завод по производству магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Технология MRAM разрабатывается уже порядка 20 лет, но на рынке до сих пор практически не представлена. Тем не менее исследователи не бросают попыток довести её до ума, поскольку основные свойства MRAM-памяти весьма многообещающие: она сочетает скорость SRAM-памяти, плотность DRAM-памяти, низкое энергопотребление, а также энергонезависимость.

Иными словами, MRAM может эффективно использоваться в качестве как ОЗУ, так и ПЗУ — главное, суметь наладить её производство хотя бы по технологии 90 нм. Ожидается, что завод, который должен начать работать то ли в Зеленограде, то ли в Калининградской области уже через два года, будет производить MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм.

Crocus Technology — одна из немногих компаний, занимающихся разработкой MRAM. С 2004 года здесь сумели добиться значительных успехов и ещё до сделки с РОСНАНО договорились с компанией TowerJazz о производстве 130-нанометровых MRAM. Производство должно начаться уже во второй половине этого года (от этих планов в Crocus не отказываются).

Известно также, что рубеж в 90 нм может быть преодолён при помощи разработанной в Crocus технологии термического переключения TAS. Что до 65 мм, то, похоже, французы над этим ещё работают; впрочем, определённых успехов на пути к этому рубежу Crocus достиг ещё полтора года назад.

Сейчас же новые партнёры полны энтузиазма и даже поговаривают о 45 нм — правда, в неопределённой перспективе. Прежде чем дело дойдёт до совершенства технологического процесса, в CNE придётся вложить порядка $300 млн. 55 из этих миллионов пойдут в уставный капитал СП, 125 — на строительство завода, а позднее ещё 120 — на расширение производства (на первых порах завод будет производить по пятьсот 300-миллиметровых пластин памяти в неделю, а после расширения производства — вдвое больше). Почти половину от общей суммы затрат — 3,8 млрд рублей ($140 млн) — выложит РОСНАНО.

Также сообщается, что, помимо завода, в России появятся образовательный центр и R&D-центры, так что отечественные учёные и инженеры тоже внесут посильный вклад в совершенствование технологии MRAM.

РОСНАНО не впервые инвестирует в многообещающие, но ещё не нашедшие практического применения технологии. Известно, что в том же Зеленограде будет построен завод по производству пластиковых электронных дисплеев разработки британской компании Plastic Logic. Электронными "читалками" на таких дисплеях британцы уже давно обещали завалить рынок, но до сих пор им этого сделать не удалось.

Другие новости

Последние комментарии
об издании | тур по сайту | подписки и RSS | вопросы и ответы | размещение рекламы | наши контакты | алфавитный указатель

Copyright © 2001-2020 «Вебпланета». При перепечатке ссылка на «Вебпланету» обязательна.

хостинг от .masterhost